[实用新型]半导体单晶炉有效

专利信息
申请号: 201820666311.5 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN208440728U 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 蒋国庆 申请(专利权)人: 蒋国庆
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 代理人: 肖兴坤
地址: 213000 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种半导体单晶炉,它包括底座、主炉室、副炉室、下驱动装置和上驱动装置,它还包括可升降磁场装置、副炉室升降驱动装置、副炉室旋转驱动装置和电动接晶托,可升降磁场装置包括磁场产生源和磁场升降驱动装置,磁场升降驱动装置连接在底座上,磁场产生源和磁场升降驱动装置相连,以便通过磁场升降驱动装置驱动磁场产生源升降,且磁场产生源套装在主炉室的外侧;副炉室通过副炉室旋臂连接在副炉室升降驱动装置上;副炉室旋转驱动装置连接在副炉室升降驱动装置和副炉室旋臂之间。本实用新型采用自动化操作,定位精准、结构简单、易操作、易控制,且磁场产生源、副炉室移动平稳、无晃动,进而保证了晶棒的质量,也降低了生产难度。
搜索关键词: 副炉室 升降驱动装置 磁场产生源 磁场 旋转驱动装置 半导体单晶 本实用新型 磁场装置 可升降 主炉室 旋臂 底座 上驱动装置 下驱动装置 自动化操作 定位精准 驱动磁场 生产难度 产生源 晃动 晶棒 晶托 升降 移动 保证
【主权项】:
1.一种半导体单晶炉,它包括底座(1)、主炉室(2)、副炉室(3)、下驱动装置(4)和上驱动装置(5),所述主炉室(2)和下驱动装置(4)均安装在底座(1)上,所述主炉室(2)内设置有坩埚,所述下驱动装置(4)和坩埚相连,以便通过下驱动装置(4)驱动坩埚升降,所述副炉室(3)和主炉室(2)相连通,所述上驱动装置(5)安装在副炉室(3)的上端,以便通过上驱动装置(5)驱动拉晶,其特征在于,它还包括:可升降磁场装置,所述可升降磁场装置包括磁场产生源(61)和磁场升降驱动装置,所述磁场升降驱动装置连接在底座(1)上,所述磁场产生源(61)和磁场升降驱动装置相连,以便通过磁场升降驱动装置驱动磁场产生源(61)升降,且所述磁场产生源(61)套装在主炉室(2)的外侧;副炉室升降驱动装置,所述副炉室(3)通过副炉室旋臂(81)连接在副炉室升降驱动装置上,以便通过副炉室升降驱动装置驱动副炉室旋臂(81)升降,并通过副炉室旋臂(81)带动副炉室(3)升降;副炉室旋转驱动装置,所述副炉室旋转驱动装置连接在副炉室升降驱动装置和副炉室旋臂(81)之间,以便使得副炉室旋转驱动装置随副炉室旋臂(81)一起升降,并通过副炉室旋转驱动装置驱动副炉室旋臂(81)旋转,副炉室旋臂(81)又带动副炉室(3)旋转;在副炉室(3)移动到取晶位的过程中用于承接晶棒的电动接晶托。
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