[实用新型]一种半导体芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201820651156.X | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN208127191U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214400 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体的上表面设有芯片电极、钝化层和介电层，在所述介电层的表面沉积金属导电层，再在金属导电层上形成金属凸块，金属凸块与金属导电层融为一体，形成金属柱，所述金属柱的高度范围为15~50微米；包封料包封金属柱、介电层的裸露面，并向下延伸并覆盖硅基本体的四个侧壁，形成包封层，所述包封层的上表面露出金属柱的上表面，并在金属柱的上表面设置连接件；所述硅基本体的背面设置背面保护层。本实用新型提供了一种采用非重构方式实现了一种具有保护功能的包覆型晶圆级芯片封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属柱 上表面 基本体 介电层 半导体芯片 本实用新型 金属导电层 封装结构 金属凸块 包封层 半导体芯片封装 晶圆级芯片封装 表面沉积金属 背面保护层 包封金属 保护功能 背面设置 向下延伸 芯片电极 包封料 包覆型 导电层 钝化层 连接件 裸露面 侧壁 重构 融为一体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的封装结构，其硅基本体（10）的上表面设有按预先设计的方案分布的芯片电极（13）及相应电路布局，覆盖于硅基本体（10）上表面的钝化层（20）于芯片电极（13）上方开设芯片表面钝化层开口（21）露出芯片电极（13）的正面；介电层（30）覆盖钝化层（20）并开设介电层开口（31），介电层开口（31）的尺寸小于钝化层开口（21）的尺寸，介电层开口（31）再次露出芯片电极（13）的正面；其特征在于，在所述介电层（30）的表面沉积金属导电层（41），再在金属导电层（41）上形成金属凸块（43），金属凸块（43）与金属导电层（41）融为一体，形成金属柱（40），所述金属柱（40）的高度范围为15~50微米；包封料包封金属柱（40）、介电层（30）的裸露面，并向下延伸并覆盖硅基本体（10）的四个侧壁，形成包封层（50），所述包封层（50）的上表面露出金属柱（40）的上表面，并在金属柱（40）的上表面设置连接件（60）；所述硅基本体（10）的背面设置背面保护层（70）。
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