[实用新型]击穿栅氧化层的检测结构有效
| 申请号： | 201820630282.7 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN208109992U | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/16 | 分类号： | G01R31/16;G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种击穿栅氧化层的检测结构，检测击穿栅氧化层的电压阈值，具有第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫、以及电流控制模块。所述电流控制模块的一端电性连接所述第三测试焊垫，另一端电性连接所述第一测试焊垫和所述栅氧化层。所述电流控制模块为梳状的多晶硅层结构，在电流及温度作用下，所述多晶硅层的电阻会因电迁移效应不断增大至断路，阻断击穿栅氧化层时所产生瞬间变化大的漏电流。在测试击穿栅氧化层的电压时，可以防止检测结构的探针卡以及探针的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 栅氧化层 测试焊垫 击穿 电流控制模块 检测 电性连接 多晶硅层结构 本实用新型 多晶硅层 温度作用 断路 电迁移 漏电流 探针卡 电阻 梳状 探针 测试 | ||
【主权项】：
1.一种击穿栅氧化层的检测结构，检测击穿栅氧化层的电压阈值，其特征在于，所述击穿栅氧化层的检测结构包含有：第一测试焊垫，一端电性连接所述栅氧化层；第二测试焊垫，一端电性连接所述栅氧化层；第三测试焊垫；以及电流控制模块，所述电流控制模块的一端电性连接所述第三测试焊垫，所述电流控制模块的另一端电性连接所述第一测试焊垫和所述栅氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820630282.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种海底电力电缆局放检测装置
- 下一篇：用于智能手机指纹芯片的检测装置
