[实用新型]一种生长单晶金刚石的生长结构有效
| 申请号： | 201820518712.6 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN208379051U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20;C30B25/18;C30B28/14 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长单晶金刚石的生长结构，包括依次层叠设置的衬底、择优取向多晶金刚石层和单晶金刚石，解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生长单晶金刚石 单晶金刚石 生长 多晶金刚石层 本实用新型 金刚石生长 依次层叠 择优取向 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种生长单晶金刚石的生长结构，其特征在于，所述生长结构为依次层叠设置的衬底(1)、择优取向多晶金刚石层(2)和单晶金刚石(3)；其中，所述的择优取向多晶金刚石层(2)的择优晶向为<100>或<110>或<111>，所述的择优取向多晶金刚石层(2)的厚度大于1nm，所述的衬底(1)表面粗糙度小于100μm。
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