[实用新型]InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构有效
| 申请号： | 201820504422.6 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208368512U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构，该结构包括InP衬底(1)、InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)、InP帽层(4)；在InP衬底(1)上依次生长InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)和InP帽层(4)。该定标结构的X射线衍射摇摆曲线对InP帽层厚度、InAsyP1‑y外延层厚度和组分配比敏感，测试精度高，可以同时精确获得镓、砷、磷束源的束流速率信息。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 定标 帽层 分子束外延 异质结构 衬底 本实用新型 速率信息 摇摆曲线 组分配比 束流 束源 测试 敏感 生长 | ||
【主权项】：
1.InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构，其特征在于：该结构包括InP衬底(1)、InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)、InP帽层(4)；在InP衬底(1)上依次生长InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)和InP帽层(4)。
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