[实用新型]一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器有效
| 申请号： | 201820452438.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN208507681U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;任文萍;王前进;刘应开;蔡武德 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/24 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，包括栅电极、铁电绝缘层、二硫化钼和二硒化钨垂直异质结沟道层、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有铁电绝缘层，绝缘层上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层，二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层上分别设置有金源电极和金漏电极。本实用新型器件尺寸小、光开关响应时间短、抗疲劳和保持性能强、载流子迁移率高、开关电流比大、器件功耗少。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 二硒化钨 垂直 沟道层 异质结 本实用新型 铁电存储器 铁电绝缘层 金漏电极 金源电极 栅电极 异质 绝缘层 存储器技术领域 载流子迁移率 开关电流比 器件功耗 光开关 抗疲劳 响应 | ||
【主权项】：
1.一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，其特征在于，包括栅电极（1）、铁电绝缘层（2）、二硫化钼与二硒化钨垂直异质结沟道层（3）、金源电极（4）和金漏电极（5），所述栅电极（1）上设置有铁电绝缘层（2），所述铁电绝缘层（2）上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质结沟道层（3），所述二硫化钼与二硒化钨垂直异质结沟道层（3）上设置有金源电极（4）和金漏电极（5）。
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