[实用新型]一种可增强空穴注入的发光二极管有效
| 申请号： | 201820420507.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN208315588U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 方芳;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种可增强空穴注入的发光二极管，包括衬底，依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源区准备层、发光有源层和P型半导体层，所述有源区准备层包含若干个分布密度为1e7～1e10cm‑2的阱型结构，所述阱型结构为凹坑结构或凸起结构，所述发光有源层为与所述有源区准备层的阱型结构相匹配的阱型结构。本实用新型通过采用具有阱型结构的发光有源层，由于发光有源层中阱型结构的侧壁为非极性面或半极性面，其具有更小的压电效应，从而能够有效降低量子阱中的压电场，增强空穴的有效注入，降低电子的泄漏，进而能够提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光有源层 空穴 发光二极管 源区 本实用新型 衬底 凹坑结构 半极性面 发光效率 非极性面 凸起结构 压电效应 依次层叠 缓冲层 量子阱 压电场 侧壁 匹配 泄漏 | ||
【主权项】：
1.一种可增强空穴注入的发光二极管，包括衬底，依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源区准备层、发光有源层和P型半导体层，其特征在于：所述有源区准备层包含若干个分布密度为1e7～1e10cm‑2的阱型结构，所述阱型结构为凹坑结构或凸起结构，所述发光有源层为与所述有源区准备层的阱型结构相匹配的阱型结构。
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