[实用新型]一种中空芯片吸嘴有效
| 申请号： | 201820234164.4 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN207818552U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 许军;蒙国荪;杨国运 | 申请（专利权）人： | 桂林立德爱博半导体装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 周雯 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种中空芯片吸嘴，包括安装在机械摆臂的吸嘴固定座和镶嵌在吸嘴固定座上的芯片吸嘴，吸嘴固定座上设有吸气通道与芯片吸嘴连通；所述的芯片吸嘴，与芯片接触的端面上，四边的边缘分别设有中空的长方形凹槽，中部设有下沉的正方形凹槽，长方形凹槽上设有通孔与吸气通道连通。该吸嘴结构简单，工作时有效分配、控制与芯片的接触面、不接触面间的气、力，使吸嘴配合顶针做吸取动作时吸气不流失、吸力不损失，达到吸取芯片动作稳定要求；并且吸嘴与芯片接触的端面中部设有下沉凹槽，使吸嘴不与芯片敏感部分接触，很好的保护芯片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 吸嘴 芯片 吸嘴固定座 长方形凹槽 吸气通道 芯片接触 中空芯片 连通 顶针 四边 吸力 本实用新型 正方形凹槽 保护芯片 端面中部 机械摆臂 稳定要求 吸嘴结构 下沉凹槽 芯片动作 有效分配 吸气 中空的 通孔 下沉 镶嵌 敏感 配合 | ||
【主权项】：
1.一种中空芯片吸嘴，其特征在于，包括安装在机械摆臂的吸嘴固定座和镶嵌在吸嘴固定座上的芯片吸嘴，吸嘴固定座上设有吸气通道与芯片吸嘴连通；所述的芯片吸嘴，与芯片接触的端面上，四边的边缘分别设有中空的长方形凹槽，中部设有下沉的正方形凹槽，长方形凹槽上设有通孔与吸气通道连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林立德爱博半导体装备有限公司，未经桂林立德爱博半导体装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820234164.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：静电吸附装置
- 下一篇：一种半导体产品的封装结构及其承载载具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
