[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201820201738.8 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN207925510U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王兵;李治葵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底表面的第一半导体层，设于第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的透明导电层，设于透明导电层表面的第一电极；钝化反射层，所述钝化反射层包括依次设于透明导电层和第一半导体层上的第一钝化层、分布式布拉格反射镜层、金属反射层和第二钝化层。本申请通过分布式布拉格反射镜层和金属反射层的配合，从有源层发出的光通过分布式布拉格反射镜层部分反射后，又经金属反射层再次全反射，既避免金属反射层引起的漏电，又增大了全反射面积，有效提高芯片的外量子效率与稳定性，增加了芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属反射层 分布式布拉格反射镜 半导体层 源层 半导体层表面 倒装LED芯片 透明导电层 第一电极 发光结构 钝化层 反射层 全反射 钝化 透明导电层表面 芯片 本实用新型 外量子效率 衬底表面 漏电 衬底 反射 申请 配合 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，包括；发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底表面的第一半导体层，设于第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的透明导电层，设于透明导电层表面的第一电极；钝化反射层，所述钝化反射层包括依次设于透明导电层和第一半导体层上的第一钝化层、分布式布拉格反射镜层、金属反射层和第二钝化层。
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