[实用新型]一种可变结构压控振荡器

摘要

一种可变结构压控振荡器，包含第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2、第三MIM电容C3、第一多晶硅电阻R1、第二多晶硅电阻R2、第一平面螺旋电感L1、第一CMOS开关S1、第二CMOS开关S2、第三CMOS开关S3和第四CMOS开关S4。发明在于提出一种可变结构压控振荡器，通过CMOS开关来改变压控振荡器的电路结构，既可以适当降低性能来满足功耗指标，也可以适当提高功耗来满足性能指标。

主权项

1.一种可变结构压控振荡器，其特征是包含第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2、第三MIM电容C3、第一多晶硅电阻R1、第二多晶硅电阻R2、第一平面螺旋电感L1、第一CMOS开关S1、第二CMOS开关S2、第三CMOS开关S3和第四CMOS开关S4，其中，第一MOS管M1的源极和第二MOS管M2的源极均接地，第一MOS管M1的栅极、第一CMOS开关S1的正极、第二多晶硅电阻R2的负极和第二MIM电容C2的负极四者相互相连，第二MOS管M2的栅极、第一CMOS开关S1的负极、第一多晶硅电阻R1的负极和第一MIM电容C1的负极四者相互相连，第一MOS管M1的漏极与负极输出电压Voutn相连，第二MOS管M2的漏极与正极输出电压Voutp相连；第一MIM电容C1的负极与负极输出电压Voutn相连，第二MIM电容C2的负极与正极输出电压Voutp相连；第一多晶硅电阻R1的正极、第二多晶硅电阻R2的正极、第二CMOS开关S2的正极和第三CMOS开关S3的正极四者相互相连；第二CMOS开关S2的负极与负输入电压Vn相连；第三CMOS开关S3的负极、第一平面螺旋电感L1的中心抽头和第四CMOS开关S4的负极三者相互相连；第一平面螺旋电感L1的正极与正极输出电压Voutp相连，第一平面螺旋电感L1的负极与负极输出电压Voutn相连；第三MIM电容C3的正极与正极输出电压Voutp相连，第三MIM电容C3的负极与负极输出电压Voutn相连；第三MOS管M3的源极和第四MOS管M4的源极均接电源VDD，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的漏极均和正极输出电压Voutp相连，第四MOS管M4的栅极与第三MOS管M3的漏极和负极输出电压Voutn相连，适当提高功耗来满足性能指标的步骤：将第一CMOS开关S1、第二CMOS开关S2和第四CMOS开关S4闭合，第三CMOS开关S3关断，第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极偏置电压由负输入电压Vn提供，因此压控振荡器处于单PMOS管交叉耦合振荡模式。