[实用新型]一种MOS型超势垒整流器有效
| 申请号： | 201820126154.9 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207753015U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;周祥瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS型超势垒整流器，包括半导体基板，半导体基板上部为N型外延层为第一主面，半导体基板下部为N+型衬底为第二主面，第一主面上设置有沟槽，第一主面上设置有栅氧化层，其上有多晶硅，间隔的沟槽两侧的外延层内自上而下依次为N+区和P型区。制造方法：1）提供衬底，外延生长一层外延层，热生长栅氧化层，淀积多晶硅和氧化层，2）光刻3）刻蚀4）去除光刻胶，5）注入N型杂质砷或磷，6）第一次注入P型杂质硼并热退火，7）刻蚀，8）第二次注入P型杂质硼并热退火，9）二次刻蚀，10）第三次注入P型杂质硼并热退火，11）去除氧化层，12）沉淀第一电极，13）沉淀第二电极。本实用新型提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 热退火 本实用新型 栅氧化层 超势垒 多晶硅 外延层 氧化层 整流器 衬底 刻蚀 主面 去除 沉淀 产品性能 第二电极 第一电极 二次刻蚀 外延生长 光刻胶 热生长 淀积 光刻 制造 | ||
【主权项】：
1.一种MOS型超势垒整流器，其特征在于：包括半导体基板，所述半导体基板的上部为N型外延层，其表面为第一主面，所述半导体基板下部为N+型衬底，其表面为第二主面，所述第一主面上设置有间隔的沟槽，相邻沟槽之间的第一主面上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上面设置导电多晶硅，所述间隔的沟槽两侧的外延层内自上而下依次为N+区和P型区，所述P型区为多次注入的P型杂质硼连接在一起并包围N+区和沟槽，所述多晶硅上面有第一电极并填充满沟槽，所述第二主面底部有第二电极。
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