[实用新型]一种刻蚀设备有效
| 申请号: | 201820066532.9 | 申请日: | 2018-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN207743209U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 黄雷 | 申请(专利权)人: | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及了一种刻蚀设备,其特征在于,包括:机架,在该机架上设置有承载装置,用来承载晶圆或印制线路板。在该承载装置的下方设置有刻蚀装置和清洗装置,两者均可左右移动,且同步联动。刻蚀装置包括刻蚀刀及刻蚀液泵;清洗装置包括清洗刀及清洗液泵。刻蚀刀和清洗刀完全掠过晶圆或印制线路板的下表面,且在两者顶部上分别设置有第一窄缝、第二窄缝。这样一来,清洗液由下向上喷射,能有效地缩短蚀刻液在晶圆或印制线路板预处理面的滞留时间,尽可能地减少了水池效应,从而保证了线路蚀刻的精度及准确性。再者,借助该刻蚀设备可在同一工位上先后对晶圆或印制线路板进行刻蚀和清洗操作,保证工序的连贯性。 | ||
| 搜索关键词: | 线路板 晶圆 刻蚀设备 刻蚀 印制 承载装置 刻蚀装置 清洗装置 窄缝 清洗 预处理 本实用新型 可左右移动 清洗操作 清洗液泵 水池效应 同步联动 同一工位 线路蚀刻 向上喷射 连贯性 刻蚀液 清洗液 蚀刻液 下表面 有效地 滞留 承载 保证 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀设备,其特征在于,包括:机架;在所述机架上设置有承载装置,其用来承载晶圆或印制线路板;在所述承载装置的下方设置有刻蚀装置和清洗装置;所述刻蚀装置和所述清洗装置均可左右移动,且同步联动;所述刻蚀装置包括刻蚀刀;所述清洗装置包括清洗刀;所述刻蚀装置还包括刻蚀液泵,其用来为所述刻蚀刀提供一定压力的刻蚀液;所述清洗装置还包括清洗液泵,其用来为所述清洗刀提供一定压力的清洗液;所述刻蚀刀和所述清洗刀在左右移动过程中完全掠过所述晶圆或印制线路板的下表面,且在两者顶部上分别设置有第一窄缝、第二窄缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





