[实用新型]一种带负压钳位的IGBT驱动电路有效

专利信息
申请号: 201820033843.5 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN207753616U 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 彭秉语;彭俊恒 申请(专利权)人: 深圳市仁辉创电子科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 广州容大专利代理事务所(普通合伙) 44326 代理人: 刘新年
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种带负压钳位的IGBT驱动电路,包括电阻R1、R2,电容C1,二极管D1,稳压二极管D2,瞬态抑制二极管D3,三极管Q1、Q2,变压器T1。本实用新型的低成本带负压钳位的IGBT驱动电路与现有技术方案相比,在保持电路简洁的基础上增加了负压钳位技术,能有效的保证IGBT可靠运行,防止因外部干扰信号造成误触发而烧毁IGBT的情况发生,同时本方案电路简洁成本低廉,可在设备上大规模的应用,经济效益显著。
搜索关键词: 负压 钳位 本实用新型 瞬态抑制二极管 外部干扰信号 稳压二极管 二极管 方案电路 可靠运行 低成本 三极管 误触发 电容 电阻 变压器 烧毁 电路 应用 保证
【主权项】:
1.一种带负压钳位的IGBT驱动电路,其特征在于,包括电阻R1、R2,电容C1,二极管D1,稳压二极管D2,瞬态抑制二极管D3,三极管Q1、Q2,变压器T1;所述变压器T1次级线圈的同名端分别连接二极管D1、三极管Q1集电极;所述变压器T1次级线圈的非同名端分别连接电阻R1、三极管Q2集电极、瞬态抑制二极管D3、绝缘栅极双极型晶体管Q3发射极;三极管Q1基极连接电阻R1;三极管Q1发射极连接三极管Q2基极;三极管Q2发射极分别连接稳压二极管D2负极、电容C1正极,稳压二极管D2正极分别连接电容C1负极、电阻R2;绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极分别连接电阻R2、瞬态抑制二极管D3。
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