[发明专利]场效应管及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种场效应管及半导体器件的制造方法，所述场效应管的制造方法包括：形成中空的半导体环柱于一衬底上；形成第一源漏极于所述衬底上；形成第二介电质层于所述第一源漏极上；形成填充在所述半导体环柱内的第一栅极和围绕在所述半导体环柱的外侧的第二栅极；形成第三介电质层于所述栅极层上；形成第二源漏极于所述第三介电质层上；以及，形成分别与所述第一源漏极、所述第二源漏极、所述第一栅极和所述第二栅极电连接的导电接触结构。本发明提供的技术方案实现了对半导体环柱内的电场的双重控制，使得在场效应管的尺寸缩小的同时，还能提高场效应管的栅控能力和载流子浓度、减小短沟道效应，进而提升半导体器件的性能。

主权项

1.一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成中空的半导体环柱；形成第一源漏极于所述衬底上，所述第一源漏极围绕在所述半导体环柱外侧并与所述半导体环柱电性相连，且所述第一源漏极的顶表面低于所述半导体环柱的顶表面；形成第二介电质层于所述第一源漏极上，所述第二介电质层围绕在所述半导体环柱外侧并填充在所述半导体环柱内，且所述第二介电质层的顶表面低于所述半导体环柱的顶表面；形成栅极层于所述第二介电质层上，所述栅极层填充在所述半导体环柱内的部分为第一栅极，所述栅极层围绕在所述半导体环柱的外侧的部分为第二栅极，且所述栅极层的顶表面低于所述半导体环柱的顶表面；形成第三介电质层于所述栅极层上，所述第三介电质层暴露出所述半导体环柱顶部的部分高度；形成第二源漏极于所述第三介电质层上，所述第二源漏极围绕在所述半导体环柱的顶部外侧并与所述半导体环柱电性相连，所述第二源漏极和所述栅极层通过所述第三介电质层绝缘隔离；以及，形成分别与所述第一源漏极、所述第二源漏极、所述第一栅极和所述第二栅极电连接的导电接触结构，各个所述导电接触结构的顶表面被所述第三介电质层的顶表面暴露出来。