[发明专利]掩膜板及曝光方法有效
| 申请号： | 201811652807.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111381437B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 任书铭;章磊;李成立 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜板及曝光方法，所述掩膜图形是由多个呈多边形的单位图形规则排布而成的，且每个所述单位图形均包括不透光部分及围绕所述不透光部分的透光部分，通过所述掩膜图形对所述LED基底的若干曝光区域执行曝光后，可以在每个所述曝光区域构成曝光图形，并且多个所述曝光图形规则拼接并构成所述PSS图形，由于所述PSS图形是由相同的曝光图形拼接而来的，每个拼接区的图形大小及样式一致，解决拼接区的边缘图形光强不一致问题，提升了边缘图形的均匀性，减弱了色差的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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