[发明专利]MEMS麦克风制造方法

摘要

本发明提出一种MEMS麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上制备第一振膜结构；在所述第一振膜结构的与所述基底的第一表面相对的侧面间隔制备背板结构，所述第一振膜结构与所述背板结构之间具有第一间隙；在所述背板结构的与所述第一振膜结构相对的侧面间隔制备第二振膜结构，所述第二振膜结构与所述背板结构之间具有第二间隙；在所述第二振膜结构的与所述背板结构相对的侧面制备电极；刻蚀所述基底的与所述第一表面相对的第二表面，形成背腔。

主权项

1.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：选择基底，在所述基底的第一表面上沉积第一氧化层；在所述第一氧化层的表面上沉积第一多晶硅层并图形化该第一多晶硅层以形成第一振膜结构；在所述第一振膜结构的表面沉积第二氧化层；在所述第二氧化层的表面沉积背板材质层，图形化所述背板材质层，在所述背板材质层的中间主体区域形成多个声学通孔；在所述背板结构上沉积第三氧化层，并平坦化所述第三氧化层；图形化所述第三氧化层、第二氧化层，形成介于所述声学通孔之间的支撑件沉积孔，所述支撑件沉积孔露出所述第一振膜结构；沉积支撑件材质层，以填充所述支撑件沉积孔；平坦化所述第三氧化层表面，以去除所述支撑件沉积孔之外的支撑件材质层；在平坦化的所述第三氧化层表面沉积第三多晶硅层以形成第二振膜结构；图形化所述第三多晶硅层以形成多个释放孔；经所述释放孔去除所述第一多晶硅层至第三多晶硅层之间、位于所述背板中间主体区域范围内的第二、第三氧化层，以形成内腔；在所述第三多晶硅层上沉积密封材质层以密封所述释放孔，并图形化该密封材质层以去除多余的部分；制备所述第一振膜结构、第二振膜结构、背板结构的引出电极；背面刻蚀所述基底，形成对应于所述背板结构中间主体区域的背腔结构。