[发明专利]一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，在传统MOSFET外延表面生长了一层几十纳米的低掺杂外延层，掺杂浓度在1e14cm‑3量级；该改进型MOSFET器件结构可以极大的提升沟道反型层的宽度，减弱SiO2/SiC表面高界面态和掺杂杂质对沟道迁移率的影响，从而提升器件的导通特性。本发明有助于进一步降低器件比导通电阻，在器件导通特性和阻断特性之间作更好的折中。

主权项

1.一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备外延层；在外延层的表面生长SiC本征层；在外延层表面通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成P阱区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成N+源极区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺P+源极接触区域；通过热氧化工艺形成栅氧化层；通过多晶硅淀积工艺在栅氧化层表面形成多晶硅，并通过多晶硅刻蚀工艺形成多晶硅电极；淀积栅源隔离介质，并通过刻蚀工艺打开源极接触孔；金属化工艺形成漏极和源极欧姆接触；淀积隔离介质，并打开栅极和源极加厚金属接触孔；形成隔离的源电极和栅电极；器件上表面覆盖保护介质，并开孔使栅极和源极外接。