[发明专利]垂直结构器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种垂直结构器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。通过在低温氮化铝层通过形成三维岛状结构，三维岛状结构之间具有间隙，制作高温氮化铝层时，氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料就会快速合拢形成将三维岛状结构封闭的高温氮化铝层，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以在低温氮化铝层和高温氮化铝层的界面处形成大量的空洞，这些空洞可以使得低温氮化铝层和高温氮化铝容易分离。同时通过将高温氮化铝层刻蚀去除后形成粗糙的表面，在发光器件中，粗糙的表面有利于减少全反射，提高发光器件的光提取效率。

主权项

1.一种垂直结构器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；基于所述第一衬底生长氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层包括多个缓冲岛结构；在第一温度范围内，基于所述氮化铝缓冲层生长低温氮化铝层，所述低温氮化铝层包括多个三维岛状结构，所述三维岛状结构之间形成空隙；在第二温度范围内，基于所述低温氮化铝层生长高温氮化铝层，所述三维岛状结构之间的空隙在所述低温氮化铝层和高温氮化铝层之间形成空洞；基于所述高温氮化铝层生长外延层；基于所述外延层制作芯片结构，并在所述外延层远离所述高温氮化铝层一侧固定第二衬底，所述芯片结构包括第一电极；将所述第一衬底、氮化铝缓冲层和低温氮化铝层剥离，保留高温氮化铝层、外延层、芯片结构和第二衬底；将保留下的高温氮化铝层刻蚀去除，在所述外延层远离所述第二衬底的一侧制作第二电极，形成垂直结构器件。