[发明专利]一种DRAM的修复方法有效
| 申请号： | 201811647353.5 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109741782B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 席龙宇;王帆;韩彦武 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710003 陕西省西安市高新区软件*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM的修复方法，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。通过分析SA缺陷测试项的失效地址的处理及修复，将开放式位线DRAM结构中有潜在缺陷的SA同时替换，有效保证了颗粒级测试良率的稳定，使得芯片修复可靠性的提升，同时降低了芯片的DPM。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。
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