[发明专利]用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法在审
| 申请号： | 201811646237.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109537045A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张楠;陈松松;颜子棋 | 申请（专利权）人： | 徐州晶睿半导体装备科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法，其中，用于硅晶锭生长的换热器在沿轴向方向上包括多个冷却区间，所述多个冷却区间包括至少一个慢冷区间和至少一个快冷区间，其中，所述慢冷区间的冷却效率低于所述快冷区间的冷却效率。由此，采用该换热器对硅晶锭进行冷却，可以使得空位在径向上充分扩散，分布均匀，避免原生缺陷因局部较高空位浓度而产生的氧沉淀聚集。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶锭 换热器 冷却区间 冷却效率 生长炉 快冷 慢冷 制备 生长 原生缺陷 轴向方向 氧沉淀 空位 冷却 高空 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅晶锭生长的换热器，其特征在于，所述换热器在沿轴向方向上包括多个冷却区间，所述多个冷却区间包括至少一个慢冷区间和至少一个快冷区间，其中，所述慢冷区间的冷却效率低于所述快冷区间的冷却效率。
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