[发明专利]一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811642788.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109742014A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;高栋 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;C23C14/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用。所述基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。本发明选用非化学配比的方法较好的实现了钡元素和钛元素占比的调控，工艺简单，为制备不同性能需求的薄膜提出了新的研究思路。 | ||
| 搜索关键词： | 非化学配比 钛酸钡 铌掺杂 外延薄膜 制备方法和应用 脉冲激光轰击 脉冲激光技术 性能需求 钡元素 钛元素 靶材 基底 薄膜 沉积 制备 调控 研究 | ||
【主权项】：
1.一种基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，其特征在于，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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