[发明专利]一种利用SiC热解石墨烯制作光电探测器的方法

摘要

本发明提出一种利用SiC热解石墨烯制作光电探测器的方法，属于半导体器件领域，方法包括步骤：将石墨烯样片浸泡清洗并烘干；在石英上按照所需要的电极图形镀铬，再将铬进一步刻制修整成相应的版图得到光刻板；将清洗后的石墨烯样片进行涂胶，并配合所得的光刻板利用掩膜法对石墨烯样片进行曝光，再进行显影，得到金属电极图形；用磁控溅射仪对得到的石墨烯样片进行溅射镀膜；然后采用丙酮溶液剥离其多余的金属材料，得到完整的器件电极结构；对石墨烯样片进行氩气气氛下退火以消除残留光刻胶，然后自然冷却。本方法简化了制备工艺，同时使得SiC和石墨烯两种性能优异的材料可以很好结合在一起，开拓了日后SiC热解法石墨烯的应用途径。

主权项

1.一种利用SiC热解石墨烯制作光电探测器的方法，包括步骤如下：(1)、将石墨烯样片用丙酮溶液浸泡清洗，并用低温气流烘干设备烘干；(2)、以石英玻璃作为基体，在石英上按照所需要的电极图形镀铬，再将铬进一步刻制修整成相应的版图得到光刻板；(3)、将步骤(1)中清洗后的石墨烯样片进行涂胶，并配合步骤(2)所得的光刻板利用掩膜法对石墨烯样片进行曝光，再用显影液进行显影，得到金属电极图形；(4)、用磁控溅射仪对步骤(3)得到的石墨烯样片进行溅射镀膜；(5)、将步骤(4)得到的石墨烯样片采用丙酮溶液剥离其多余的金属材料，得到完整的器件电极结构；(6)、对步骤(5)得到的石墨烯样片使用CVD管式炉进行氩气气氛下退火以消除残留光刻胶，然后自然冷却。