[发明专利]鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底有效
| 申请号： | 201811638216.5 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384173B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底，能够实现鳍式场效应管性能的进一步提升。该制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底上形成有栅氧化层，且栅氧化层具有至少一贯穿栅氧化层的孔洞；形成伪栅极、至少覆盖伪栅极两侧的侧墙、外延源极以及外延漏极；其中，伪栅极覆盖孔洞；去除伪栅极，令硅衬底在孔洞位置形成空穴；在伪栅极位置形成金属栅极结构；其中，金属栅极结构具有对应空穴的凸起。这样，能够获取电容值更高的鳍式场效应管，实现了鳍式场效应管性能的进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 制备 方法 衬底 | ||
【主权项】：
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