[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201811636993.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109545803B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
| 发明(设计)人: | 颜源;宋继越 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请实施例的阵列基板及其制作方法,通过采用6道成像光刻工艺即可完成具有触控功能的阵列基板制程,从而可以简化生产工艺、节约成本、缩短生产周期。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上依次沉积缓冲层和源漏金属层,进行第一道成像光刻工艺,以形成源电极、漏电极和触控线;沉积多晶硅层,进行第二道成像光刻工艺,以形成导电沟道,所述导电沟道位于所述源电极与所述漏电极之间,并与所述源电极和所述漏电极接触;依次沉积栅极绝缘层和像素电极层,进行第三道成像光刻工艺,以形成像素电极,并在所述触控线上方的所述栅极绝缘层上形成第一过孔,在所述漏电极上方的所述栅极绝缘层上形成第二过孔;沉积栅金属层,进行第四道成像光刻工艺,以形成栅极、第一连接电极和第二连接电极,所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述触控线连接,所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述漏极连接,并在所述导电沟道上形成轻掺杂区和重掺杂区;沉积平坦层,进行第五道成像光刻工艺,以在所述第一连接电极上方的所述平坦层上形成第三过孔;沉积公共电极层,进行第六道成像光刻工艺,以形成触控电极和公共电极,所述触控电极通过所述第三过孔与所述第一连接电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811636993.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





