[发明专利]场效应管和半导体器件在审
| 申请号： | 201811629396.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713042A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 尚恩明;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应管和半导体器件，所述场效应管包括：一半导体环柱，其包括中空的环柱形沟道以及位于所述环柱形沟道两端的源极和漏极，且所述源极所在的半导体环柱一端和/或所述漏极所在的半导体环柱一端沿所述半导体环柱的轴线穿通；第一栅极，形成于所述环柱形沟道内，并与所述半导体环柱相互绝缘隔离，所述第一栅极通过穿通的所述半导体环柱一端向外引出；以及，第二栅极，环绕在所述环柱形沟道的外侧，并与所述半导体环柱相互绝缘隔离。本发明提供的技术方案实现了对环柱形沟道内的电场的双重控制，使得在场效应管的尺寸缩小的同时，还能提高场效应管的栅控能力和载流子浓度、减小短沟道效应，进而提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体环 环柱形 沟道 场效应管 半导体器件 绝缘隔离 穿通 漏极 源极 载流子 短沟道效应 尺寸缩小 双重控制 电场 效应管 中空的 减小 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管，其特征在于，包括：一半导体环柱，所述半导体环柱包括中空的环柱形沟道以及位于所述环柱形沟道两端的源极和漏极，且所述源极所在的半导体环柱一端和/或所述漏极所在的半导体环柱一端沿所述半导体环柱的轴线穿通；第一栅极，形成于所述环柱形沟道内，并与所述半导体环柱相互绝缘隔离，所述第一栅极通过穿通的所述半导体环柱一端向外引出；以及，第二栅极，环绕在所述环柱形沟道的外侧，并与所述半导体环柱相互绝缘隔离。
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