[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：子外延结构，位于一衬底上；P型掺杂结构，位于子外延结构上，P型掺杂结构包括N个周期交叠的P型Al_a1In_b1Ga_1‑a1‑b1N层、P型Al_a2In_b2Ga_1‑a2‑b2N层和P型Al_a3In_b3Ga_1‑a3‑b3N层，且每个周期由下至上依次为P型Al_a1In_b1Ga_1‑a1‑b1N层、Al_a2In_b2Ga_1‑a2‑b2N层和Al_a3In_b3Ga_1‑a3‑b3N层，能够提高P型掺杂结构的空穴注入效率，从而提升电子和空穴在多量子阱区域中分布的均衡性，有效提高电子和空穴的复合几率，使LED的发光效率得到提升。

主权项

1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：子外延结构，位于一衬底上；P型掺杂结构，位于所述子外延结构上，所述P型掺杂结构包括N个周期交叠的P型Al_a1In_b1Ga_1‑a1‑b1N层、P型Al_a2In_b2Ga_1‑a2‑b2N层和P型Al_a3In_b3Ga_1‑a3‑b3N层，且每个周期由下至上依次为P型Al_a1In_b1Ga_1‑a1‑b1N层、Al_a2In_b2Ga_1‑a2‑b2N层和Al_a3In_b3Ga_1‑a3‑b3N层；其中，N≥1，且N为整数；所述P型Al_a1In_b1Ga_1‑a1‑b1N层、P型Al_a2In_b2Ga_1‑a2‑b2N层和P型Al_a3In_b3Ga_1‑a3‑b3N层中含Al的组成a1、a2和a3均在0～1之间，含In的组成b1、b2和b3均在0～1之间，a1+b1、a2+b2、a3+b3均在0～1之间。