[发明专利]新型功率MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811629070.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109524472A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;袁力鹏;范玮 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;侯芳 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种新型功率MOSFET器件及其制备方法，器件包括漏极金属区层、N+单晶硅衬底、N‑外延层、P型阱区层、N+源极区、绝缘介质层、源级金属区层，还包括沟槽；第一栅氧化层和第二栅氧化层；第一多晶硅层和第二多晶硅层及接触孔。本发明还提供了该器件的制备方法，本发明使得器件拥有较低Qgd的同时，也拥有较低的导通电阻，且制备方法无需增加新的成本，提高了市场竞争力，且具有推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多晶硅层 新型功率 栅氧化层 半导体功率器件 单晶硅 绝缘介质层 漏极金属区 市场竞争力 导通电阻 接触孔 金属区 外延层 源极区 衬底 源级 | ||
【主权项】：
1.一种新型功率MOSFET器件，包括漏极金属区层、位于所述漏极金属区层上方的N+单晶硅衬底、位于所述N+单晶硅衬底上方的N‑外延层、位于所述N‑外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的N+源极区、位于所述N+源极区上方的绝缘介质层、及位于所述绝缘介质层上方的源级金属区层，其特征在于，还包括：沟槽，其穿过所述P型阱区层和所述N+源极区，延伸至所述N‑外延层的内部；栅氧化层，其包括第一栅氧化层和第二栅氧化层，所述第一栅氧化层与所述沟槽的内侧面和底端接触，所述第二栅氧化层位于所述N‑外延层和所述P型阱区层的上方；多晶硅层，其包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述沟槽内，与所述第一栅氧化层接触，所述第二多晶硅层位于所述第二栅氧化层的上方，与所述第二栅氧化层接触；接触孔，其穿过所述绝缘介质层和N+源极区，延伸至所述P型阱区层，所述接触孔的内部填充有金属。
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