[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 201811627161.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713097A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;卢国军 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：第一子外延结构，位于一衬底上；第二子外延结构，位于所述第一子外延结构上；阻挡层，位于所述第一子外延结构和第二子外延结构之间，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和GaN层，其中，N≥1，且N为整数。本发明通过在第一子外延结构与第二子外延结构之间形成一阻挡层，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和GaN层，其中，N≥1，且N为整数，以提高晶格的质量，使得衬底无需采用图像衬底(PSS)技术来处理，降低了生产成本，同时所述阻挡层还降低LED外延结构形成时所产生的残余的应力，以及外延结构的位错密度，从而提高LED器件的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 阻挡层 衬底 交叠 制备 光电特性 残余的 晶格 位错 生产成本 图像 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：第一子外延结构，位于一衬底上；第二子外延结构，位于所述第一子外延结构上；阻挡层，位于所述第一子外延结构和第二子外延结构之间，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN层和GaN层，其中，N≥1，且N为整数。
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