[发明专利]一种抛光后晶圆的清洗方法在审
| 申请号： | 201811627102.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111376169A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李守田;尹先升;贾长征 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械抛光清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用第一清洗液对抛光后的所述晶圆进行继续抛光；(2)使用第二清洗液对抛光清洗后的所述晶圆步骤(1)抛光清洗后的晶圆冲洗至少一次。本发明使用抛光清洗方法，对于氧化铈抛光后的晶圆，可以有效去除晶圆表面残留的氧化铈颗粒，从而减少了晶圆表面的颗粒缺陷，极大地提高了清洗效果；同时，减少了清洗液的使用量，并且使用去离子水作为清洗液，从而大大减少了清洗成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 后晶圆 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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