[发明专利]一种用于微波无线能量传输的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811620064.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713048A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李薇;刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于微波无线能量传输的肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：制备硅衬底；在所述衬底上形成第一Ge层；在所述第一Ge层上形成第二Ge层；将所述第二Ge层进行热退火处理，得到张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层表面形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 制备 微波 无线能量传输 张应变 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 表面形成 第二电极 第一电极 硅衬底 热退火 衬底 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于微波无线能量传输的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：制备硅衬底；在所述衬底上形成第一Ge层；在所述第一Ge层上形成第二Ge层；将所述第二Ge层进行热退火处理，得到张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层表面形成第一电极和第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811620064.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肖特基二极管及整流电路
- 下一篇：太阳能电池减反射膜及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
