[发明专利]一种基于双层G形石墨烯微结构的可调偏振转换器在审
申请号: | 201811616698.4 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109491109A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 陈明;张文波;刘厚权;赵德平;王素云;高文文;陈晨;苑立波 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于双层G形石墨烯微结构的可调偏振转换器。主要包括如下步骤:步骤(1).在25~35Thz的工作频段,研究石墨烯可调谐双G形偏振转换器中电磁波的传输,通过对偏振转换器结构的设计,找出可以实现偏振转换的结构;步骤(2).偏振转换器的G形位置是石墨烯带,两个G形石墨烯带的中间有40nm厚的二氧化硅介质层;步骤(3).通过调节石墨烯的化学势可以有效地调控谐振点的位置,从而实现可调谐的功能;本发明具有结构简单,转换效率高等特点。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 偏振转换器 可调谐 微结构 可调 二氧化硅介质层 工作频段 偏振转换 转换效率 电磁波 化学势 谐振点 有效地 传输 调控 研究 | ||
【主权项】:
1.一种基于双层G形石墨烯微结构的可调偏振转换器,其特征是:它由金属金基底4,二氧化硅介质层3,和两个尺寸完全相同的G形石墨烯带1、2组成。所述偏振转换器,基底4是周期P=77nm,厚度h3=100nm的金属用来衬底,中间介质层3为厚度h2=1000nm的二氧化硅,双G形之间以厚度h1=40nm的二氧化硅充当中间层,两个尺寸完全相同的双G形石墨烯带产生主要的电磁响应。这几种材料依次堆放,组成完整的偏振转换器。
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