[发明专利]可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺在审
申请号: | 201811614234.X | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109518244A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 魏红军;付明;常志 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二研究所 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D17/00;C25D17/02;C25D17/12 |
代理公司: | 山西华炬律师事务所 14106 | 代理人: | 陈奇 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺,解决了晶圆在电镀过程中边缘位置镀层厚度急剧增加的问题。在镀槽(1)中设置镀铜液(2),将晶圆(5)和钛蓝阳极(7)设置在镀铜液(2)中;制作垂直剪切屏(8),在晶圆(5)与钛蓝阳极(7)之间设置垂直剪切屏(8),通电开始为晶圆镀铜,同时控制电控气缸(13),以60次/分钟的频率,使垂直剪切屏(8)上下振动,垂直剪切屏(8)的振动幅度为40毫米;当完成对晶圆(5)镀铜后,停止垂直剪切屏(8)的上下振动。减少了晶圆边缘镀层厚度急剧增加的缺陷,提高了镀层的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 垂直剪切 镀铜 镀层 阳极 镀层边缘 上下振动 镀铜液 边缘位置 电控气缸 晶圆边缘 振动幅度 削弱 均匀性 电镀 镀槽 通电 制作 | ||
【主权项】:
1.一种可降低镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺,包括以下步骤:第一步、在镀槽(1)中设置镀铜液(2),在镀槽(1)上设置阴极杆(3)和阳极杆(6),在阳极杆(6)上吊接钛蓝阳极(7),在阴极杆(3)上设置晶圆夹具(4),将晶圆(5)装在晶圆夹具(4)上,将晶圆(5)和钛蓝阳极(7)设置在镀铜液(2)中;第二步、制作垂直剪切屏(8):在两平行立柱(9)之间等间隔地彼此平行地设置L形剪切板(10),L形剪切板(10)的长度与晶圆(5)的直径的比为1.5:1,相邻的两L形剪切板(10)的间距为32毫米,L形剪切板(10)的高度为8毫米;第三步、在晶圆(5)与钛蓝阳极(7)之间设置垂直剪切屏(8),晶圆(5)的中心点与钛蓝阳极(7)的中心点之间的连线与垂直剪切屏(8)所在平面要相互垂直设置,L形剪切板(10)与晶圆(5)的距离为60毫米,L形剪切板(10)与钛蓝阳极(7)的距离为155毫米;第四步、在镀槽(1)的顶端对称地设置一对通孔(11),在垂直剪切屏(8)的两平行立柱(9)的顶端均连接有悬挑杆(12),悬挑杆(12)的外端穿过通孔(11)后悬挑到电镀槽(1)的外侧,在电镀槽(1)的前后两侧面上均设置电控气缸(13),电控气缸(13)的向上伸出的输出轴与悬挑杆(12)的外端顶接在一起;第五步、通电开始为晶圆镀铜,同时控制电控气缸(13),以60次/分钟的频率,使垂直剪切屏(8)上下振动,垂直剪切屏(8)的振动幅度为40毫米;第六步、当完成对晶圆(5)镀铜后,停止垂直剪切屏(8)的上下振动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二研究所,未经中国电子科技集团公司第二研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811614234.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种芯片电阻电镀装置
- 下一篇:可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽