[发明专利]侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法

摘要

侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法，属于光电技术领域。解决了如何提供一种蓝光量子效率高、集成度高、增益高的光侧面入射硅基雪崩光电二极管阵列器件的制作方法的问题。本发明的制作方法，先在清洁处理后的衬底的内部制作埋氧化层，将衬底分为厚薄两部分，然后在薄衬底上表面通过离子注入制作隔离区，然后制备阳极，然后制备衬底层，然后制备吸收层，然后制备场控层，然后制备雪崩层，然后制备非耗尽层，然后制备阴极，然后制备透光层，然后制备电极引线，完成封装，得到侧面接收光的硅增益光探测阵列器件。该制作方法制作的阵列器件蓝光灵敏度和量子效率高，截止频率和增益也较高。

主权项

1.侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法，其特征在于，该阵列器件包括从下至上依次设置的基底(11)、埋氧化层(10)和雪崩光电二极管阵列；所述雪崩光电二极管阵列包括多个探测单元、多个隔离区(9)和多个电极引线；多个探测单元按规则排布形成阵列，每个探测单元包括阴极(1)、非耗尽层(2)、雪崩层(3)、场控层(4)、吸收层(5)、衬底层(6)、阳极(7)和透光层(8)；阴极(1)、非耗尽层(2)、雪崩层(3)、场控层(4)、吸收层(5)、衬底层(6)和阳极(7)以阳极(7)为中心轴从外至内依次设置，透光层(8)覆盖在非耗尽层(2)、雪崩层(3)、场控层(4)、吸收层(5)、衬底层(6)和部分阴极(1)的上表面上；隔离区(9)设置在相邻的两个探测单元之间，将相邻的两个探测单元隔离；电极引线设置在探测单元及隔离区(9)的上表面上，电极引线连接多个探测单元之间的电极，连接方式为串联、并联、先串联后并联或先并联后串联，制作步骤如下：步骤一、选取衬底材料，对衬底材料进行清洁处理；步骤二、在清洁处理后的衬底材料的内部制作埋氧化层(10)，埋氧化层(10)将衬底材料分成厚度不同的两部分，位于上部的薄衬底材料用来制作雪崩光电二极管阵列，位于下部的厚衬底材料作为基底(11)；步骤三、在步骤二得到的器件的上表面制作隔离区(9)的掩膜图形，通过离子注入制备隔离区(9)，去除掩膜层；或在步骤二得到的器件的待制备隔离区(9)的位置处刻蚀沟槽，在沟槽内填充隔离区材料，得到隔离区(9)；步骤四、在步骤三得到的器件的上表面制备阳极(7)掩膜图形，制备阳极(7)沟槽，制备阳极(7)，去除阳极(7)掩膜材料；步骤五、在步骤四得到的器件的上表面制备衬底层(6)掩膜图形，制备衬底层(6)，去除衬底层(6)掩膜材料；步骤六、在步骤五得到的器件的上表面制备吸收层(5)掩膜图形，制备吸收层(5)，去除吸收层(5)掩膜材料；步骤七、在步骤六得到的器件的上表面制备场控层(4)掩膜图形，制备场控层(4)，去除场控层(4)掩膜材料；步骤八、在步骤七得到的器件的上表面制备雪崩层(3)掩膜图形，制备雪崩层(3)，去除雪崩层(3)掩膜材料；步骤九、在步骤八得到的器件的上表面制备非耗尽层(2)掩膜图形，制备非耗尽层(2)，去除掩膜材料；步骤十、在步骤九得到的器件的上表面制备阴极(1)掩膜图形，制备阴极(1)沟槽，制备阴极(1)，去除掩膜材料；步骤十一、在步骤十得到的器件的上表面制备增透膜的掩膜图形，制备增透膜，得到透光层(8)，去除掩膜材料；步骤十二、在透光层(8)和隔离区(9)上表面制备电极引线的掩膜图形，制备电极引线，去除掩膜材料，完成封装，得到侧面接收光的硅增益光探测阵列器件。