[发明专利]一种化合物半导体的金属连线结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种化合物半导体的金属连线结构及其制作方法，所述方法包括在第一金属层上方形成金属附着层和电镀种子层，通过电镀工艺形成电镀金属层以及形成保护层的步骤；其中在电镀制程之后蚀刻金属附着层和电镀种子层过程中，通过于裸露的金属侧壁形成第二介质层侧翼的方式控制金属附着层的蚀刻程度，使得得到的结构中金属附着层的边缘位于电镀金属层边缘和侧翼边缘之间，避免其深入电镀金属层下方的情况，从而提高金属与保护层的粘附能力，避免保护层和金属之间产生裂缝，实现金属层的形状达到要求，提高器件可靠度。

主权项

1.一种化合物半导体的金属连线结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供已完成部分器件制程的晶片，所述晶片上设有第一金属层；2)于上述结构上沉积第一介质层；3)涂布绝缘层，蚀刻所述绝缘层以形成位于所述第一金属层上方的开口；4)依次沉积金属附着层和电镀种子层；5)涂布光阻，并通过曝光、显影形成对应所述开口的显开窗口，且所述显开窗口的宽度大于所述开口；6)通过电镀工艺于所述显开窗口之内沉积厚度高于所述开口的电镀金属层，然后剥离光阻；7)依次蚀刻电镀种子层和金属附着层，并通过于裸露的金属侧壁形成第二介质层侧翼的方式控制金属附着层的蚀刻程度；8)沉积保护层。