[发明专利]气体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811606056.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109709069B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 何玉铭;韩伟华;李兆峰;颜伟;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气体传感器，其特征在于，包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，所述顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于所述模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与所述直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于所述直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于所述SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。
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