[发明专利]基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路

摘要

本发明公开了一种基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路，包括FET驱动电路和BJT驱动电路；FET驱动电路包括n组FET、n个耦合电容和n个电阻，每组FET包括至少一个FET；此组FET的源极处于同一电平；针对于第i组FET：开关信号端子通过耦合电容Ci与该组的每个FET的栅极连接，开关信号端子通过电阻Ri与FET的源极连接；i为1至n的自然数。BJT驱动电路包括n组BJT，每组BJT包括至少一个BJT；此组BJT的发射极处于同一电平；针对于第i组BJT：开关信号端子通过耦合电容Ci’与该组的每个BJT的基极连接，开关信号端子通过电阻Ri’与BJT的发射极连接。

主权项

1.一种基于耦合电容的浮动电平场效应管或晶体管驱动电路，其特征在于：包括FET驱动电路和BJT驱动电路；其中：所述FET驱动电路包括n组FET、n个耦合电容和n个电阻，每组FET包括至少一个FET；针对于第i组FET：此组FET的源极处于同一电平；开关信号端子通过耦合电容Ci与该组的每个FET的栅极连接，所述开关信号端子电阻Ri与FET的源极连接；i为1至n的自然数；针对于耦合电容的选取方法为：将第i组FET与开关信号端子之间的耦合电容标记为Ci；首先从FET手册查知耦合电容Ci对应的FET组中每个FET的栅极和源极间电容C_GS‑ij；然后第i组FET对应的耦合电容Ci满足下式：其中：m_i为第i组FET的数量；针对于分压电阻的选取方法为：将第i组FET源极与开关信号端子之间的电阻标记为Ri；开关信号的周期标记为T_S；适应电平的最长时间标记为T_V；T_V大于10倍T_S；电阻R_i的取值范围为：所述BJT驱动电路包括n组BJT，每组BJT包括至少一个BJT；针对于第i组BJT：此组BJT的发射极处于同一电平；开关信号端子通过耦合电容Ci’与该组的每个BJT的基极连接，所述开关信号端子通过电阻Ri’与BJT的发射极连接；i为1至n的自然数；针对于耦合电容的选取方法为：将第i组BJT与开关信号端子之间的耦合电容标记为Ci’；根据晶体管开启时第i组中第j个BJT的基极电流标记为I_B‑ij，耦合电容Ci’；开关信号的周期为T_S'，则耦合电容Ci’取值范围为其中：m_i为第i组BJT的数量；针对于分压电阻的选取方法为：将第i组BJT与开关信号端子之间的分压电阻标记为Ri’；开关信号的周期标记为T_S'；适应电平的最长时间标记为T_V'；电阻R_i'的取值范围为：