[发明专利]一种太阳能电池退火方法以及装置和太阳能电池制备方法有效
申请号: | 201811593624.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109473508B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 任格格 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/52;C23C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池退火方法以及装置和太阳能电池制备方法,太阳能电池退火方法包括:将表面沉积有氧化铝薄膜层的硅片置于PECVD管式炉中,并在PECVD管式炉以初始温度290℃~300℃为起始,以小于等于10℃/min的升温速率进行升温,直到PECVD管式炉内的温度达到终点温度480℃~500℃,且在PECVD管式炉升温的过程中向PECVD管式炉内通入氢气和氮气的混合气体,对硅片进行氢钝化;使得PECVD管式炉在终点温度恒温25min~30min;在硅片的表面镀SiNx薄膜层。通过将传统的氢钝化与低温连续慢升温进行有效的结合,能够有效减少硅片内部的杂质和晶格缺陷,同时实现了优良的钝化效果,有效增加了少子的寿命和扩散长度,提高电池的开路电压和减少串联电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 退火 方法 以及 装置 制备 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池退火方法,其特征在于,包括:步骤1,将表面沉积有氧化铝薄膜层的硅片置于PECVD管式炉中,并在所述PECVD管式炉以初始温度290℃~300℃为起始,以小于等10℃/min的升温速率进行升温,直到所述PECVD管式炉内的温度达到终点温度480℃~500℃,且在所述PECVD管式炉升温的过程中向所述PECVD管式炉内通入氢气和氮气的混合气体,对所述硅片进行氢钝化;步骤2,使得所述PECVD管式炉在所述终点温度恒温25min~30min;步骤3,在所述硅片的表面镀SiNx薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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