[发明专利]一种用于NAND闪存的译码似然比软值的生成方法和装置有效
| 申请号： | 201811583620.7 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109669806B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 马征 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 陈亚斌;关兆辉 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于NAND闪存的译码似然比软值的生成方法和装置。其中的用于NAND闪存的译码似然比软值的生成装置包括：读写控制器和纠错编码迭代译码器。通过使用上述的用于NAND闪存的译码似然比软值的生成方法和装置，可以得到比较准确的译码似然比软值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 nand 闪存 译码 生成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于NAND闪存的译码似然比软值的生成方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A，读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；步骤B，读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码；步骤C，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤D；步骤D，读写控制器根据所读取的电压值，使用参数化混合分布似然比的方法计算得到译码似然比软值；步骤E，将译码似然比软值输入纠错编码迭代译码器进行纠错编码，并进行软判决译码；步骤F，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤G；步骤G，判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤H；步骤H，将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；返回执行步骤D；步骤I，输出译码结果作为读出数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811583620.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
