[发明专利]半导体多站处理腔体有效
| 申请号： | 201811581220.2 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111354657B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 谭华强;周仁;吕光泉;张孝勇;李晶;荒见淳一;金基烈;申思;刘忠武;王卓 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种半导体多站处理腔体，其中每一站包含：由多个壁所定义的一下沉空间，其提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个内壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件包含一喷淋板，该喷淋板与该上盖之间形成用于提供吹扫气体的一第二间隙；及一隔离组件，可升降于该下沉空间与该覆盖组件之间，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的处理区或退回下沉空间中。当该隔离组件包围该处理区时，该站与相邻的另一站形成结构上的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
