[发明专利]漂移探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，该漂移探测器包括：第一导电半导体基板、本征半导体层、第二导电半导体层、第三导电半导体层、金属电极层和隔离层；其中，第二导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相反，第三导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相同，第二导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成PN结，该PN结形成：漂移电极、第一保护环、入射窗口和第二保护环；第三导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成高低结，该高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。

主权项

1.一种漂移探测器，其特征在于，包括：第一导电半导体基板；本征半导体层，位于所述第一导电半导体基板表面上；第二导电半导体层和第三导电半导体层，分别位于所述本征半导体层表面上；金属电极层，位于所述第二导电半导体层和第三导电半导体层上；以及隔离层，位于所述第一导电半导体基板表面上，用于隔离第二导电半导体层和第三导电半导体层；其中，第二导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相反，第三导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相同，第二导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成第一纵向结，该第一纵向结为PN结，所述PN结形成：漂移电极、第一保护环、入射窗口和第二保护环；第三导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成第二纵向结，该第二纵向结为高低结，所述高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极。