[发明专利]逆流防止电路以及电源电路有效
| 申请号： | 201811570228.9 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110045777B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 富冈勉 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/569 | 分类号： | G05F1/569 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及逆流防止电路以及电源电路。逆流防止电路具备：在被供给电源电压的输入端子和将输出电压从输出端子输出的由p沟道MOS晶体管构成的输出级晶体管之间插入的p沟道MOS晶体管的、逆流防止晶体管；以及在输出电压超过电源电压时使逆流防止晶体管从导通成为截止的逆流防止控制部，逆流防止控制部具有：由耗尽型的p沟道MOS晶体管构成的、源极连接于输出端子、栅极连接于输入端子的、第一晶体管；以及由耗尽型的p沟道MOS晶体管构成的、源极和栅极与第一晶体管的漏极和逆流防止晶体管的栅极连接、漏极接地的第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 逆流 防止 电路 以及 电源 | ||
【主权项】：
1.一种逆流防止电路，其特征在于，具备：逆流防止晶体管，为在被供给电源电压的输入端子与将规定的输出电压从输出端子输出的p沟道MOS晶体管即输出级晶体管之间串联地插入的p沟道MOS晶体管；以及逆流防止控制部，在所述输出电压超过所述电源电压的情况下，使所述逆流防止晶体管从导通状态成为截止状态，所述逆流防止控制部具有：第一晶体管，为耗尽型的p沟道MOS晶体管，源极连接于所述输出端子，栅极连接于所述输入端子；以及第二晶体管，为耗尽型的p沟道MOS晶体管，源极与自身的栅极、所述第一晶体管的漏极和所述逆流防止晶体管的栅极的各个连接，漏极接地，利用所述第一晶体管的漏极的电压进行所述逆流防止晶体管的导通/截止控制。
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