[发明专利]一种可重构通用型超材料在审
申请号: | 201811562371.3 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109728441A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 李龙;乔畅;韩家奇;刘海霞 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 杨春岗;陈宏社 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提出了一种可重构通用型超材料,解决了目前超材料结构固定之后功能和工作频率无法改变的技术问题。该超材料包括第一谐振单元(1)、介质基板(2)和第二谐振单元(3),所述第一谐振单元(1)和第二谐振单元(3)分别印制在介质基板(2)的上表面和下表面,且三者的几何中心重合。第一谐振单元(1)由一个单开口谐振环(11)和变容二极管(12)组成,第二谐振单元(3)由两个单开口谐振环(31)与变容二极管(32)组成。本发明通过改变两层结构上的变容管的电容值,对该超材料介电常数ε和磁导率μ的频率和大小进行调节,通过合理的选择不同的电容值能够实现双正媒质ε>0,μ>0,电单负媒质ε<0,μ>0,双负媒质ε<0,μ<0,磁单负媒质ε>0,μ<0这四种不同特性的功能。 | ||
搜索关键词: | 谐振单元 超材料 媒质 变容二极管 介质基板 单开口 可重构 通用型 谐振环 电容 超材料结构 介电常数ε 工作频率 几何中心 两层结构 变容管 磁导率 上表面 下表面 重合 印制 | ||
【主权项】:
1.一种可重构通用型超材料,包括第一谐振单元(1)、介质基板(2)和第二谐振单元(3),所述第一谐振单元(1)和第二谐振单元(3)分别印制在介质基板(2)的上表面和下表面,其特征在于:所述第一谐振单元(1)由单开口谐振环(11)和变容二极管(12)组成,所述单开口谐振环(11)位于介质基板(2)的上表面,所述变容二极管(12)加载在单开口谐振环上;所述第二谐振单元(3)由两个结构相同的单开口谐振环(31)和变容二极管(32)组成,所述两个结构相同的单开口谐振环(31)位于介质基板(2)的下表面,且关于第二谐振单元(3)的几何中心对称分布,所述变容二极管(32)加载在两个单开口谐振环(31)的连接处;所述第一谐振单元(1)、介质基板(2)和第二谐振单元(3)三者之间关于Z轴的几何中心重合。
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