[发明专利]一种石墨烯电光调制器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811549302.9 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109375389B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;冯朋;王磊;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 邱云雷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯电光调制器，其包括：衬底(10)，其长度、宽度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；以及形成于所述衬底(10)上的马赫泽德干涉仪结构(11)；其中，所述马赫泽德干涉仪结构(11)包括石墨烯垂直混合等离子光波导(14)，所述石墨烯垂直混合等离子光波导(14)在所述第II方向上包括：第二金属电极材料层(302)；位于所述第二金属电极材料层(302)两侧的第一高折射率材料层(201)和第二高折射率材料层(202)；位于所述第一高折射率材料层(201)与所述第二金属电极材料层(302)之间的第一低折射率材料层(401)和位于所述第二金属电极材料层(302)与所述第二高折射率材料层(202)之间的第二低折射率材料层(402)；以及彼此分离的第一石墨烯材料层(601)、第二石墨烯材料层(602)和第三石墨烯材料层(603)；所述第二石墨烯材料层(602)位于所述第二金属电极材料层(302)上且其两端分别延伸至所述第一高折射率材料层(201)和所述第二高折射率材料层(202)的至少部分表面上；所述第一石墨烯材料层(601)的一端至少延伸至所述第一低折射率材料层(401)靠近所述第二金属电极材料层(302)的侧边；所述第三石墨烯材料层(603)的一端至少延伸至所述第二低折射率材料层(402)靠近所述第二金属电极材料层(302)的侧边。
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