[发明专利]一种用于拼接CMOS图像传感器芯片的器件有效
| 申请号： | 201811548930.5 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109670238B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 何学红;温建新 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;尹一凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于拼接CMOS图像传感器芯片的地址结构，该结构包含至少一种具有K个相同的芯片拼接部分的区域B_0、B_1、…、B_K‑1；K个相同的芯片拼接部分由N位地址译码电路译码，N位地址译码电路被划分成第一地址译码模块和第二地址译码模块，一个移位寄存器与第一地址译码模块、第二地址译码模块和地址初始化模块ADDR_INIT相连接，移位寄存器电路根据地址初始化模块ADDR_INIT的输出，配置K块地址电路所需的地址使能控制策略，以实现N位地址任意寻址。本发明在不增加外部的IO端口的情况下，实现完整的寻址电路，简化了芯片的使用方式，且实现多种地址模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 拼接 cmos 图像传感器 芯片 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于拼接CMOS图像传感器芯片的地址结构，其中，所述单个CMOS图像传感器芯片的总面积大于掩膜版的尺寸，所述掩膜版中包括多个芯片拼接部分，且包含至少一种具有K个相同的所述芯片拼接部分的区域B_0、B_1、…、B_K‑1；其特征在于，K个相同的所述芯片拼接部分由N位地址译码电路译码，所述N位地址译码电路被划分成第一地址译码模块和第二地址译码模块，一个移位寄存器与所述第一地址译码模块、第二地址译码模块和地址初始化模块ADDR_INIT相连接，所述移位寄存器电路根据所述地址初始化模块ADDR_INIT的输出，配置所述K块地址电路所需的地址使能控制策略，以实现N位地址任意寻址；其中，所述K为大于等于2的整数；所述N为大于2的整数，所述使能控制策略为K个相同的所述芯片拼接部分的行选信号顺序或行选信号个数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微阱电子科技有限公司，未经上海微阱电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811548930.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
