[发明专利]薄膜沉积装置在审
| 申请号： | 201811548590.6 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110004432A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李洪宰 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜沉积装置，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道。本发明的薄膜沉积装置在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜沉积装置 原料气体供给 气体供给部 沉积空间 基板供给 残留气体 沉积薄膜 反应气体 气体供给 原料气体 排出 反应气体供给 原子层沉积法 基板支撑部 安装基板 处理气体 排气通道 相对移动 基板 腔室 相隔 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装所述基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给所述原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给所述反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出所述残留气体的第一排气通道。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
