[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种晶体外延结构及生长方法，旨在解决如何消除不匹配外延材料生长时的应变，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层，第一晶格失配层包括晶格渐变层和晶格稳定层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层，第二晶格失配层包括晶格过渡层和晶格失配功能层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。

主权项

1.一种晶体外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在衬底(1)的第一表面(11)形成晶格匹配层(2)；S2、在所述衬底(1)的第二表面(12)形成第一晶格失配层(3)，所述第一晶格失配层(3)包括晶格渐变层(31)和晶格稳定层(32)；S21、在所述衬底(1)的第二表面(12)形成所述晶格渐变层(31)；S22、在所述晶格渐变层(31)上形成所述晶格稳定层(32)；S3、在所述晶格匹配层(2)上形成第二晶格失配层(4)，所述第二晶格失配层(4)包括晶格过渡层(41)和晶格失配功能层(42)；S31、在所述晶格匹配层(2)上形成所述晶格过渡层(41)；S32、在所述晶格过渡层(41)上形成所述晶格失配功能层(42)；其中，所述第一晶格失配层(3)、所述衬底(1)以及所述第二晶格失配层(4)的晶格常数单调递增或单调递减。