[发明专利]一种从高含硅光纤生产废料中回收锗的方法有效
| 申请号： | 201811537883.4 | 申请日： | 2018-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109439909B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李世平;钟波 | 申请（专利权）人： | 六盘水中联工贸实业有限公司 |
| 主分类号： | C22B7/00 | 分类号： | C22B7/00;C22B1/00;C22B1/02;C22B41/00 |
| 代理公司： | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人： | 杨云 |
| 地址： | 553000 贵州省六*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从高含硅光纤生产废料中回收锗的方法，包括以下步骤：（1）将高含硅锗光纤生产废料磨细至100目以上，然后加入硫化剂并混合均匀制粒为直径1‑5mm；（2）进行锗的硫化挥发，并收集硫化锗挥发烟尘，或收集硫化锗与二氧化锗的混合挥发烟尘；（3）将获得的含锗烟尘进行微波氧化焙烧或其他形式的氧化焙烧、或直接进行硫酸氧化浸出；（4）将高含锗微波氧化焙烧产物直接进行盐酸氯化蒸馏，获得四氯化锗进行水解得到二氧化锗精矿；（5）将步骤（2）及步骤（3）的低含锗物料进行硫酸氧化浸出，浸出液用丹宁沉淀或有机溶剂萃取提取富集锗，生产锗精矿。本发明能够高效率、低成本地从含硅达95%以上的物料中提取分离锗、硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高含硅 光纤 生产 废料 回收 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从高含硅光纤生产废料中回收锗的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将高含硅锗光纤生产废料磨细至100目以上，然后加入硫化剂并混合均匀制粒为直径1‑5mm；（2）将步骤（1）的制粒物料进行锗的硫化挥发，并收集硫化锗挥发烟尘，或收集硫化锗与二氧化锗的混合挥发烟尘；所述硫化挥发条件为S/Ge=1.2‑1.3，硫化剂为硫化钠或单质硫粉，挥发温度800‑1000℃，挥发设备为微波炉或者烟化炉或者回转窑；（3）将步骤（2）获得的含锗烟尘进行微波氧化焙烧或其他形式的氧化焙烧、或直接进行硫酸氧化浸出；（4）将步骤（3）的高含锗微波氧化焙烧产物直接进行盐酸氯化蒸馏，获得四氯化锗进行水解得到二氧化锗精矿；（5）将步骤（2）及步骤（3）的低含锗物料进行硫酸氧化浸出，浸出液用丹宁沉淀或有机溶剂萃取提取富集锗，生产锗精矿。
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