[发明专利]一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法

摘要

本发明公开了一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法。渐变光刻版图采用黑白版图，其构成为完全不透光区域的阵列和完全透光区域的阵列，完全不透光区域和完全透光区域交替交错排列布置于版图表面，且具有比例渐变特征和完全交错特征；在原始半导体上通过光刻和刻蚀对表面进行加工完成的，半导体上涂覆一层光刻胶，接着采用渐变光刻版图进行常规光刻工艺形成有图形的掩膜，通过干法刻蚀在半导体表面刻蚀出微坑。本发明利用特殊设计构建的渐变光刻版图，实现了半导体表面渐变微坑阵列及基于该微坑阵列而形成的长距离缓斜坡，工艺步骤均是半导体加工技术，可实现低成本、高产率的半导体表面长距离缓斜坡的制造。

主权项

1.一种用于半导体表面制造的渐变光刻版图，其特征在于：所述的渐变光刻版图(101)采用黑白版图，其构成为完全不透光区域(103)的阵列和完全透光区域(102)的阵列，完全不透光区域(103)和完全透光区域(102)交替交错排列布置于版图表面，且具有比例渐变特征和完全交错特征；比例渐变特征是指，相邻的完全不透光区域(103)和完全透光区域(102)的两种区域的面积比例，由一侧向另一侧逐渐变化；完全交错特征是指，完全不透光区域(103)和完全透光区域(102)在任意一行或任意一列均交替出现；其中，行列阵列为平行的直线列和平行的直线行相垂直构成的矩形阵列，或者为同圆心的径向列和圆弧行相垂直构成的扇形阵列；相邻行之间可以具有间隙(107)，也可以不具有间隙(107)；间隙(107)可以由完全透光区域(102)构成，或者由完全不透光区域(103)构成。