[发明专利]可靠的表面安装整体功率模块有效

专利信息
申请号: 201811531761.4 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN110060962B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: A.V.高达;P.A.麦康奈李;S.S.乔罕 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/373;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/07;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘林华;陈浩然
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及可靠的表面安装整体功率模块,公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块,该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接,其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面,其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间,以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。
搜索关键词: 可靠 表面 安装 整体 功率 模块
【主权项】:
1.一种表面安装结构,包括:子模块,所述子模块包括:介电层;附连到所述介电层的至少一个半导体装置,所述至少一个半导体装置中的每一个包括由半导体材料组成的衬底;电联接至所述至少一个半导体装置的一级金属互连结构,所述金属互连结构延伸通过穿过所述介电层形成的通孔,以便连接到所述至少一个半导体装置;以及二级输入/输出(I/O)连接,其电联接至所述一级金属互连结构且在与所述至少一个半导体装置相反的一侧形成于所述介电层上,所述二级I/O连接构造成将所述子模块连接到外部电路;具有第一表面和第二表面的多层衬底结构,其中所述子模块的所述至少一个半导体装置附连到所述多层衬底的所述第一表面;以及一种或多种介电材料,其定位在所述介电层与所述多层衬底结构的所述第一表面之间且至少部分地围绕所述子模块的所述至少一个半导体装置,所述一种或多种介电材料构造成填充所述表面安装结构中的间隙且向其提供另外的结构完整性并包括:定位在所述介电层与所述多层衬底结构的所述第一表面之间的陶瓷或介电片,所述陶瓷或介电片具有形成于其中的切口,以接纳所述至少一个半导体装置;和介电填充材料,其定位在所述陶瓷或介电片与所述多层衬底结构的所述第一表面之间,以便填充所述陶瓷或介电片与所述多层衬底结构之间的间隙。
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