[发明专利]一种包含空穴传输层的异质结太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极。所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴薄膜。本发明还公开了上述包含空穴传输层的异质结太阳电池的制备方法。本发明的异质结太阳电池，不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。

主权项

1.一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，其特征在于，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极；所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴薄膜。